[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110394461.1 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN114628489A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 古尔巴格·辛格;庄坤苍 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 史瞳;谢琼慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文揭示一种半导体结构，包括一基体总成及一半导体器件。该半导体器件是形成于该基体总成上，且包括一主体区、两个有源区及一对接主体。所述有源区设置于该主体区的两个相对侧，且两者皆具有一第一型传导性。该主体区及所述有源区共同占据该基体总成的一表面区。该对接主体具有不同于该第一型传导性的一第二型传导性，且位在该基体总成的该表面区上以允许该主体区经由该对接主体而被连结至所述有源区中的一者。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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