[发明专利]一种采用缺陷地结构的TRL校准件在审

专利信息
申请号: 202110394654.7 申请日: 2021-04-13
公开(公告)号: CN113203877A 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 刘石头;杨天应;张胜峰 申请(专利权)人: 深圳市时代速信科技有限公司
主分类号: G01R1/04 分类号: G01R1/04
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郭浩辉;颜希文
地址: 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种采用缺陷地结构的TRL校准件,包括:直通件、反射件和延迟件;该直通件、反射件和延迟件的微带线下方的参考地上均设置有缺陷地结构;其中,该缺陷地结构由相互平行的多个相同的凹槽构成。采用本发明实施例能通过缺陷地结构提高TRL校准件介质的电磁场分布,增加电磁波的电长度,缩小TRL校准件的尺寸。
搜索关键词: 一种 采用 缺陷 结构 trl 校准
【主权项】:
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