[发明专利]一种掺杂缺陷去除方法有效
| 申请号： | 202110396009.9 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113130309B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 刘金彪;罗军;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/304;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种掺杂缺陷去除方法，提供半导体结构，半导经过离子注入和退火处理，半导体结构具有尖角，且尖角处存在缺陷，之后，可以对半导体结构进行低温氧化，以氧化尖角处的缺陷，由于缺陷处存在更多的悬挂键，活性较高，因此比较容易被氧化，之后可以去除半导体结构中被氧化的部分，这样可以有效去除半导体结构掺杂时形成的缺陷，有利于提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 缺陷 去除 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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