[发明专利]一种晶圆级封装用盖帽晶圆的制备方法在审
| 申请号： | 202110396094.9 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113140474A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 姚浩强;杨晓杰 | 申请（专利权）人： | 安徽光智科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/26;H01L31/0203;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 肖小龙 |
| 地址： | 239064 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种晶圆级封装用盖帽晶圆的制备方法，包括如下步骤：在晶圆表面形成外围金属膜层；采用镂空的挡板作为掩膜基板，在外围金属膜层以内的部分晶圆表面形成增透膜层；采用镂空的挡板作为掩膜基板，在外围金属膜层以内的区域，在增透膜层以外的至少部分晶圆表面形成吸气剂层；在整个晶圆表面涂覆光刻胶层，通过曝光显影，露出外围金属膜层，然后在外围金属膜层上形成支撑层和焊料层，形成金属焊环，再去除光刻胶，即得。本发明的方法工艺简单、周期短、成本低、能够减少剥离液对各膜层的腐蚀等影响，且能制备出表面平整、透射率高的晶圆级封装用盖帽晶圆，具有很好的工业应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 封装 盖帽 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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