[发明专利]凹陷型SOI衬底电子束套刻对准标记结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110396502.0 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113341664A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 周瑾;刘志宏;李蔚然;黎培森;李祥东;张苇杭;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F7/20;G03F7/16;G03F7/38;G03F7/40;G03F7/42 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 510000 广东省广州市黄*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种凹陷型SOI衬底电子束套刻对准标记结构及其制备方法，该方法包括：S1：清洗SOI衬底；S2：在SOI衬底上涂覆反转光刻胶；S3：利用对准标记掩模版，采用光刻反转工艺在反转光刻胶上形成对准标记光刻图形；S4：根据对准标记光刻图形，在没有被反转光刻胶覆盖的区域进行干法刻蚀处理，刻蚀完成后去除样品表面残留的反转光刻胶，得到凹陷型电子束套刻对准标记；其中，凹陷型电子束套刻对准标记为尺寸≥20μm×20μm，深度≥500nm的方形结构；凹陷型电子束套刻对准标记的外周凹槽的宽度≥50μm。本发明的方法，利用光刻反转工艺在反转光刻胶上形成对准标记光刻图形后，只需通过一次刻蚀即可得到凹陷型对准标记，制备工艺流程更为简单。 | ||
| 搜索关键词： | 凹陷 soi 衬底 电子束 对准 标记 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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