[发明专利]集成电路器件及制造集成电路器件的方法在审
| 申请号： | 202110397525.3 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113782515A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 裵德汉;金盛民;朴柱勋;李留利;郑润永;洪秀妍 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/088;H01L21/768;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李敬文 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 集成电路器件可以包括：鳍型有源区，在衬底上在第一水平方向上延伸；栅极线，在所述鳍型有源区上在第二水平方向上延伸；源/漏区，在所述鳍型有源区上并且与所述栅极线相邻；以及源/漏接触图案，连接到所述源/漏区。所述源/漏接触图案可以包括：第一部分和第二部分，所述第一部分具有第一高度，并且所述第二部分具有小于所述第一高度的第二高度。所述源/漏接触图案可以包括：金属插塞，在所述第一部分和所述第二部分中；以及导电阻挡膜，在所述第一部分和所述第二部分中在所述金属插塞的侧壁上。所述第二部分中的导电阻挡膜的第一顶表面低于所述第二部分中的金属插塞的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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