[发明专利]LDMOS器件和形成LDMOS器件的方法有效
| 申请号： | 202110397808.8 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113257889B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 吉扬·永;连延杰;傅达平;邢进 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成都市成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 公开了一种具有下沉区连结的LDMOS器件。该LDMOS器件具有掩埋层、第一阱区和连接所述掩埋层和第一阱区的下沉区。LDMOS器件具有沟槽，其上部分由所述第一阱区绕环而其下部分由下沉区环绕。LDMOS器件中还形成有沟槽，使得下沉区可以通过穿过沟槽的离子注入来形成。沟槽填充有非导电材料。利用本发明提出的LDMOS器件，下沉区将更加容易形成，从而使得第一阱区和掩埋层之间的连接更加容易和并且连接得更好。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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