[发明专利]LDMOS器件和形成LDMOS器件的方法有效

专利信息
申请号: 202110397808.8 申请日: 2021-04-13
公开(公告)号: CN113257889B 公开(公告)日: 2022-10-21
发明(设计)人: 吉扬·永;连延杰;傅达平;邢进 申请(专利权)人: 成都芯源系统有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 611731 四川省成都市成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 公开了一种具有下沉区连结的LDMOS器件。该LDMOS器件具有掩埋层、第一阱区和连接所述掩埋层和第一阱区的下沉区。LDMOS器件具有沟槽,其上部分由所述第一阱区绕环而其下部分由下沉区环绕。LDMOS器件中还形成有沟槽,使得下沉区可以通过穿过沟槽的离子注入来形成。沟槽填充有非导电材料。利用本发明提出的LDMOS器件,下沉区将更加容易形成,从而使得第一阱区和掩埋层之间的连接更加容易和并且连接得更好。
搜索关键词: ldmos 器件 形成 方法
【主权项】:
暂无信息
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