[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202110398296.7 申请日: 2021-04-14
公开(公告)号: CN112951853A 公开(公告)日: 2021-06-11
发明(设计)人: 严婷婷;魏祥利 申请(专利权)人: 昆山龙腾光电股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 代理人: 蔡光仟
地址: 215301 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法,包括:在金属氧化物薄膜上形成第一光阻层,并对第一光阻层进行曝光、显影,以在栅极的上方保留第一光阻层而形成第一光阻部,其余位置的第一光阻层被去除;在金属氧化物薄膜上形成覆盖第一光阻部的第二金属层;在第二金属层上形成第二光阻层,并对第二光阻层进行曝光、显影,形成相互间隔开的第二光阻部和第三光阻部,其中第二光阻部和第三光阻部之间间隔形成一开口;利用第二光阻部和第三光阻部作为遮罩,对第二金属层和金属氧化物薄膜进行刻蚀,第二金属层在刻蚀之后形成相互间隔的源极和漏极,金属氧化物薄膜在刻蚀之后形成金属氧化物有源层;去除第一光阻部、第二光阻部和第三光阻部。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法
【主权项】:
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