[发明专利]一种基于激光直写钼片制备碳化钼纳米微阵列的方法有效
| 申请号： | 202110398615.4 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113136596B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 周伟家;袁海凤;赵莉莉;刘晓燕;董天娇 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C25B11/075 | 分类号： | C25B11/075;C25B1/04;B23K26/00;B23K26/36;B23K26/60;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) 37240 | 代理人： | 薛鹏喜 |
| 地址： | 250022 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于激光直写钼片制备碳化钼纳米微阵列的方法，将构建微纳米阵列结构与合成碳化钼材料相结合，通过激光直写一步法制备具有三维微纳米阵列结构的碳化钼材料。本发明基于激光与钼片的烧蚀作用，制备出三维的微纳米阵列结构，同时与碳源发生反应合成碳化钼，一步法制备碳化钼纳米微阵列材料，避免了传统的微纳米阵列制备中的复杂操作步骤和光刻胶等有毒试剂的使用，降低了制备工艺的复杂性同时增加了实验安全性。本方法可以任意设计碳化钼纳米微阵列的外部形貌和阵列排布，所得碳化钼纳米微阵列形状可控，尺寸精度高，用于电催化产氢反应，在酸性、中性、碱性溶液中均具有优良的电催化产氢活性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 激光 直写钼片 制备 碳化 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
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