[发明专利]包括顶侧冷却接口的功率放大器模块及其制造方法在审
| 申请号： | 202110402948.X | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113539843A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 杰奥弗里·塔克;拉克希米纳拉扬·维斯瓦纳坦;杰弗里·凯文·琼斯;伊利·A·马卢夫 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/488;H01L23/367 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种具有顶侧冷却接口的功率放大器模块(PAM)，以及用于制造此类PAM的方法。在实施例中，所述方法包括将RF功率管芯附接到模块基板的管芯支撑表面。所述RF功率管芯以倒置定向附接到所述模块基板，使得所述RF功率管芯的前侧面向所述模块基板。当将所述RF功率管芯附接到所述模块基板时，所述RF功率管芯的前侧输入/输出接口电耦合到所述模块基板的相应基板互连特征。所述方法另外包括：提供主要热量提取路径，所述主要热量提取路径在与所述模块基板相对的方向上从所述RF功率管芯的晶体管沟道延伸到所述PAM的顶侧冷却接口。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 冷却 接口 功率放大器 模块 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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