[发明专利]一种改进栅结构的槽栅VDMOS器件在审
| 申请号： | 202110403026.0 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN112802903A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 涂俊杰;顾航;高巍;戴茂州 | 申请（专利权）人： | 成都蓉矽半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸易*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改进栅结构的槽栅VDMOS器件，包括栅极结构、源极结构、漏极结构和漂移区结构：栅极结构包括栅极金属、重掺杂第一导电类型多晶硅栅电极、轻掺杂第二导电类型多晶硅电极、沟槽氧化层、隔离氧化层；源极结构包括重掺杂第一导电类型源区、中等掺杂第二导电类型体区、重掺杂第二导电类型欧姆接触区、源极金属；漂移区结构包括轻掺杂第一导电类型漂移区；漏极结构包括重掺杂第一导电类型漏区和漏极金属，本发明中的掺杂方式在多晶硅栅内引入了二极管结构，所以分区掺杂的多晶硅栅极内部会形成一个PN结势垒电容，原本的栅漏电容会与分区异型掺杂的栅内PN结电容耦合，从而减小总的栅漏电容，降低器件开关损耗，提高开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 结构 vdmos 器件 | ||
【主权项】：
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