[发明专利]场效应晶体管、气体传感器及其制造方法

摘要

本发明涉及场效应晶体管、气体传感器及其制造方法。本公开的目的在于提供场效应晶体管，其为使用金属有机结构体膜作为半导体层、具有新型结构的场效应晶体管。本实施方式为场效应晶体管，是包含基板、源极、漏极、栅极和作为半导体层的金属有机结构体膜的场效应晶体管，其中，金属有机结构体膜包含具有π共轭系骨架的有机配体和金属离子以在基板的面方向上展开的方式配位的多个晶体结构经由π‑π相互作用在基板上层叠的层叠结构，各晶体结构具有通过有机配体和金属离子的配位而形成的细孔，在所述层叠结构中，邻接的晶体结构的细孔在膜厚方向上连通，场效应晶体管为顶部接触型。