[发明专利]一种通过改善锂金属和3D骨架浸润性来抑制锂枝晶生长的方法在审
申请号: | 202110403418.7 | 申请日: | 2021-04-15 |
公开(公告)号: | CN113178549A | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 刘显强;牛佳佳;张跃飞 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01M4/1395 | 分类号: | H01M4/1395;H01M10/052;H01M10/42;C23C16/30;C23C16/455 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
本发明涉及一种改善3D骨架和锂金属的浸润性从而抑制锂枝晶生长的方法。将3D镍骨架放置于原子层沉积设备的腔室中,按次序依次通入锂源、磷源,并通入惰性气体清洗反应过程的副产物及残余气体,锂金属表面形成Li |
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搜索关键词: | 一种 通过 改善 金属 骨架 浸润 抑制 锂枝晶 生长 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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