[发明专利]集成电路、存储器阵列及用于形成集成电路和存储器阵列的方法

摘要

本申请案涉及集成电路、存储器阵列及用于形成集成电路和存储器阵列的方法。用于形成集成电路的方法包括形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。所述堆叠在其中包括腔，所述腔包括阶梯状结构。所述腔的侧壁的至少一部分以牺牲材料加衬。绝缘材料在所述牺牲材料的径向内侧形成于所述腔中。从所述腔侧壁与所述绝缘材料之间移除所述牺牲材料中的至少一些以在其间形成空隙空间。绝缘体材料形成于所述空隙空间中的至少一些中。公开了包含独立于方法的结构的其它实施例。