[发明专利]存储器件以及其混合间隔物有效
申请号: | 202110404600.4 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN113130510B | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 刘力恒;杨川;彭爽爽 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H10B43/27 | 分类号: | H10B43/27;H10B43/35;H10B43/00 |
代理公司: | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人: | 杨锡劢;刘柳 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体器件包括金属层和与金属层相邻布置的混合间隔物。混合间隔物包括包含复合介电材料的复合介电层。复合介电材料的成分是第一介电材料的成分和与第一介电材料不同的第二介电材料的成分的混合物。 | ||
搜索关键词: | 存储 器件 及其 混合 间隔 | ||
【主权项】:
暂无信息
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