[发明专利]生产电子级多晶硅的方法有效
| 申请号： | 202110405133.7 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113264528B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 吴锋;黄金发;陈卓;张天雨;王海豹 | 申请（专利权）人： | 江苏鑫华半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 肖阳 |
| 地址： | 221004 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了生产电子级多晶硅的方法。该方法包括：(1)在多晶硅还原炉内设置多圈硅棒，其中，内圈硅棒采用低电阻硅芯，中圈硅棒和/或外圈硅棒采用高电阻硅芯；(2)向所述内圈硅棒施加第一电压、以高压击穿的方式通电，并向所述多晶硅还原炉中通入三氯氢硅和氢气，进行第一阶段反应，在所述内圈硅棒上沉积得到第一多晶硅产品；(3)向所述中圈硅棒和/或外圈硅棒施加第二电压，持续向所述多晶硅还原炉中通入三氯氢硅和氢气，进行第二阶段反应，在所述中圈硅棒和/或外圈硅棒上沉积得到第二多晶硅产品。该方法可显著降低多晶硅产品中的杂质含量，生产得到高品质的多晶硅产品。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 电子 多晶 方法 | ||
【主权项】：
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