[发明专利]一种VCSEL芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 202110406451.5 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113131337A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 时岱;杨军;白昱 | 申请（专利权）人： | 苏州七橡科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人： | 孙莉莉 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市吴江区江陵*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及激光芯片技术领域，且公开了一种VCSEL芯片及其制造方法，包含以下步骤：S1：制备晶圆，并在晶圆的表面刻蚀出一个圆台；S2：将晶圆上表面的P电极区域进行刻蚀；S3：覆盖绝缘层、电流集中层顶表面和部分侧壁的电连接层；S4：在绝缘层上涂一层光刻胶；S5：对芯片外表面进行氧化膜的覆盖。该VCSEL芯片及其制造方法，驱动装置带动转动盘转动，转动盘转动时带动固定杆转动，固定杆拉动滑动块从而带动槽板移动，槽板移动时拉动转动架，从而带动转动架及其喷气盒转动，槽板移动时带动挤压板反复挤压弹性囊，从而使得弹性囊中的气体通过出气管进入喷气盒中，喷气盒中的热气体通过莲蓬头喷出，从而均匀地喷在芯片主体上，从而加速了氧化膜的生成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vcsel 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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