[发明专利]一种高速高灵敏的ZnO纳米线阵列射频紫外探测器有效
申请号: | 202110409012.X | 申请日: | 2021-04-15 |
公开(公告)号: | CN113130683B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 高志远;李洪达 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/115;H01L31/18;B82Y40/00;B82Y15/00 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 张立改 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种高速高灵敏的ZnO纳米线阵列射频紫外探测器,涉及纳米技术与紫外探测领域。复合金属电极层错位设置在ZnO种子层之上,同时边上露出部分种子层以形成台阶状结构,在露出的种子层处斜向上生长有ZnO纳米线阵列。在紫外光照下,ZnO纳米线表面耗尽层的变化使得ZnO纳米线阵列中的电容发生变化,此电容变化将引起的纳米线射频谐振频率的变化,通过检测谐振频率的变化,探测紫外光。本发明采用纳米线阵列的设计可以提高ZnO纳米线阵列的谐振频率,扩大ZnO纳米线阵列的电容变化跨度,进而提高对紫外光的探测灵敏性和可探测紫外光强的范围,提高了紫外光的探测速度和灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 一种 高速 灵敏 zno 纳米 阵列 射频 紫外 探测器 | ||
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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