[发明专利]一种探测芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110410661.1 | 申请日： | 2021-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113140652A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 蒋科;孙晓娟;黎大兵;贲建伟;陈洋;贾玉萍;张山丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/108 | 分类号： | H01L31/108;H01L31/18;G01D21/02 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 魏毅宏 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种探测芯片，包括：宽禁带半导体，其用于制备紫外探测器，该紫外探测器用于探测紫外辐射；温度传感器，其被配置在所述宽禁带半导体上，该温度传感器由温度敏感材料制成用于检测所述宽禁带半导体的温度。本发明利用还原氧化石墨烯的温度敏感特性以及其原料丰富、成本低廉、工艺简单的优势，同时利用宽禁带氮化物半导体对紫外辐射探测的优势，实现氮化物紫外探测器工作过程中的实时结区温度检测功能和紫外探测与温度探测单片集成的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 探测 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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