[发明专利]晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器在审
申请号: | 202110411355.X | 申请日: | 2021-04-16 |
公开(公告)号: | CN113517345A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 华文宇;薛迎飞 | 申请(专利权)人: | 芯盟科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L27/108;H01L21/336 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 314400 浙江省嘉兴市海宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供一种晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器。所述方法包括如下步骤:形成导电沟道,所述导电沟道包括柱状本体以及两侧的端部,所述端部至少有一为突出设置;形成环绕所述柱状本体的栅绝缘层,并暴露所述导电沟道两侧的端部;形成环绕所述栅绝缘层的栅电极;在所述导电沟道两侧的端部形成源电极和漏电极。上述晶体管是从现有技术的水平方向的晶体管改进为垂直方向,从而使得单个晶体管在水平方向上所占的面积减少,单位面积的晶体管数量增加,提高了晶体管密度。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 制造 方法 基本 存储 单元 以及 动态 随机存取存储器 | ||
【主权项】:
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