[发明专利]晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器在审

专利信息
申请号: 202110411355.X 申请日: 2021-04-16
公开(公告)号: CN113517345A 公开(公告)日: 2021-10-19
发明(设计)人: 华文宇;薛迎飞 申请(专利权)人: 芯盟科技有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L27/108;H01L21/336
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤
地址: 314400 浙江省嘉兴市海宁*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供一种晶体管的制造方法、晶体管、基本存储单元、以及动态随机存取存储器。所述方法包括如下步骤:形成导电沟道,所述导电沟道包括柱状本体以及两侧的端部,所述端部至少有一为突出设置;形成环绕所述柱状本体的栅绝缘层,并暴露所述导电沟道两侧的端部;形成环绕所述栅绝缘层的栅电极;在所述导电沟道两侧的端部形成源电极和漏电极。上述晶体管是从现有技术的水平方向的晶体管改进为垂直方向,从而使得单个晶体管在水平方向上所占的面积减少,单位面积的晶体管数量增加,提高了晶体管密度。
搜索关键词: 晶体管 制造 方法 基本 存储 单元 以及 动态 随机存取存储器
【主权项】:
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