[发明专利]一种低温CVD法制备高热导率碳材料的方法有效
| 申请号： | 202110412311.9 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113023726B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 郭领军;钟磊;李贺军;黎云玉 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C01B32/205 | 分类号： | C01B32/205;C01B32/05 |
| 代理公司： | 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种低温CVD法制备高热导率碳材料的方法，以二氧化硅纤维为沉积衬底，在其表面低温(1000℃～1300℃)CVD制备热解碳，其次用氢氟酸将二氧化硅纤维刻蚀掉，再将刻蚀好的热解碳作为预制体进行第二次热解碳沉积，最后在石墨化炉中对其进行高温石墨化处理。本发明将传统CVD热解石墨的制备温度由1800℃以上降低至1200℃以下，有效降低沉积温度，所制备样件密度为1.85g/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 低温 cvd 法制 高热 导率碳 材料 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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