[发明专利]一种真空蒸发镀膜方法在审
| 申请号： | 202110417433.7 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113088890A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 李成林;郝明;杜雪峰 | 申请（专利权）人： | 辽宁分子流科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/54;C23C14/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110179 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开一种真空蒸发镀膜方法，包括：将基膜放置在放卷辊上，启动真空系统抽真空；当镀膜腔室的真空度达到工艺要求时，启动卷绕系统、条形蒸发源、智能屏蔽系统和控制系统；控制系统控制智能屏蔽系统及条形蒸发源的智能材料控制系统和滑动式电极系统，根据工艺要求在蒸发镀膜基底下方形成1个或多个蒸发镀膜区域，通过真空蒸发镀膜在连续走膜的蒸发镀膜基底上形成膜层；在真空蒸发镀膜过程中，控制系统可控制智能屏蔽系统以及条形蒸发源的智能材料控制系统和滑动式电极系统之间的互相配合，在线连续地调控蒸发镀膜基底下方的蒸发镀膜区域，在蒸发镀膜基底表面形成在线可调控的膜层。该真空蒸发镀膜方法可应用于制备新能源动力电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 蒸发 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
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