[发明专利]自对准金属硅化物的形成方法有效
| 申请号： | 202110417982.4 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN113223948B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 胡启民;王龙鑫;向超;范晓 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311;H01L21/8238;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种自对准金属硅化物的形成方法，包括：步骤一、提供形成有栅极结构的硅衬底，进行第一次湿法刻蚀将多晶硅栅表面以及栅极结构的侧墙外的有源区表面的剩余氧化层变薄；步骤二、形成SAB层；步骤三、对自对准金属硅化物形成区域的SAB层进行刻蚀，包括如下分步骤：步骤31、进行第一次干法刻蚀将SAB层的厚度减薄；步骤32、进行各向同性的第二次湿法刻蚀将多晶硅栅顶部以及有源区表面的SAB层以及剩余氧化层完全去除，剩余氧化层预先变薄使第二次湿法刻蚀时间减少并侧墙的侧面不会暴露出来；步骤四、形成金属层并进行金属硅化反应。本发明能防止栅极结构的侧墙侧面的SAB层被完全去除，从而能防止侧墙产生损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 金属硅 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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