[发明专利]一种改善气体分布的沉积室及MPCVD装置有效
申请号: | 202110418314.3 | 申请日: | 2021-04-19 |
公开(公告)号: | CN113186517B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 龚闯;朱长征;吴剑波;蒋梅荣 | 申请(专利权)人: | 上海征世科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;C23C16/27;C23C16/52 |
代理公司: | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人: | 袁步兰 |
地址: | 201799 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种改善气体分布的沉积室及MPCVD装置,包括壳体、微波导向天线、基片、上磁板、下磁板,壳体侧壁分别设置进气口和废料口,沉积气体从进气口进入壳体,外界从废料口对壳体内部抽真空,上磁板水平设置在壳体内部的中间位置,下磁板设置在壳体内的底部,基片放置在下磁板上,微波导向天线从壳体顶部插入壳体内,微波导向天线向壳体内导入微波,微波在基片上方激发等离子体,上磁板和下磁板相面对的区域磁性相反形成竖直分布的磁感线,在基片水平面上磁感线至少包括第一磁区,第一磁区磁感线绕一竖直轴线旋转,第一磁区的旋转中心线位于基片范围内,第一磁区的边沿与基片边沿相切。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 气体 分布 沉积 mpcvd 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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