[发明专利]一种改善气体分布的沉积室及MPCVD装置有效

专利信息
申请号: 202110418314.3 申请日: 2021-04-19
公开(公告)号: CN113186517B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 龚闯;朱长征;吴剑波;蒋梅荣 申请(专利权)人: 上海征世科技股份有限公司
主分类号: C23C16/511 分类号: C23C16/511;C23C16/27;C23C16/52
代理公司: 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 代理人: 袁步兰
地址: 201799 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种改善气体分布的沉积室及MPCVD装置,包括壳体、微波导向天线、基片、上磁板、下磁板,壳体侧壁分别设置进气口和废料口,沉积气体从进气口进入壳体,外界从废料口对壳体内部抽真空,上磁板水平设置在壳体内部的中间位置,下磁板设置在壳体内的底部,基片放置在下磁板上,微波导向天线从壳体顶部插入壳体内,微波导向天线向壳体内导入微波,微波在基片上方激发等离子体,上磁板和下磁板相面对的区域磁性相反形成竖直分布的磁感线,在基片水平面上磁感线至少包括第一磁区,第一磁区磁感线绕一竖直轴线旋转,第一磁区的旋转中心线位于基片范围内,第一磁区的边沿与基片边沿相切。
搜索关键词: 一种 改善 气体 分布 沉积 mpcvd 装置
【主权项】:
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