[发明专利]单晶体管结构、多晶体管结构以及电子装置有效
| 申请号： | 202110418615.6 | 申请日： | 2021-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN112993040B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 戴明志 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/423;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐华 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种单晶体管结构、多晶体管结构以及电子装置，所述单晶体管结构包括：衬底；位于所述衬底同一侧的沟道区、源区和漏区；所述沟道区在延伸方向上具有相对的第一端和第二端；所述源区与所述第一端电接触，所述漏区与所述第二端电接触；位于所述源区与所述漏区之间的栅极，所述栅极包围部分所述沟道区，所述沟道区与所述栅极相对的区域之间具有绝缘层；沟道电极，所述沟道电极与所述栅极露出的所述沟道区电接触，所述沟道电极与所述沟道区被所述栅极包围的部分有交叠部分，且所述沟道电极与所述栅极隔绝绝缘。采用本申请技术方案所述的单晶体管结构或多晶体管结构，能够降低集成电路的面积，提高集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 多晶体 以及 电子 装置 | ||
【主权项】：
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