[发明专利]一种高电阻率烧结钐钴磁体及其制备方法有效
申请号: | 202110424362.3 | 申请日: | 2021-04-20 |
公开(公告)号: | CN113130199B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 俞能君;孙江辉;杨杭福;泮敏翔;吴琼;葛洪良 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/055 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 何碧珩;卓彩霞 |
地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种高电阻率烧结钐钴磁体及其制备方法。本发明针对烧结钐钴磁粉的特殊性,先将氟化物或者氧化物进行高能球磨至纳米粉末,钐钴磁粉制备单独进行,采用滚动球磨或高速气流磨,然后在氟化物悬浊液中施加一定电场,驱动纳米氟化物粉末均匀覆盖于钐钴磁粉表面,突破了氟化物/氧化物添加提升钐钴磁体电阻率而造成磁性能恶化的技术瓶颈。 | ||
搜索关键词: | 一种 电阻率 烧结 磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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