[发明专利]像散测试掩膜版及光刻机台的像散检测方法

摘要

本申请公开了一种像散测试掩膜版及光刻机台的像散检测方法，涉及半导体制造领域。该光刻机台的像散检测方法包括在晶圆表面涂布光刻胶；利用像散测试掩膜版和待测光刻机台对所述晶圆进行曝光，像散测试掩膜版上布满像散测试标记，像散测试掩膜版的大小与待测光刻机台的最大曝光区域的大小相同；对曝光后的晶圆进行显影；利用套刻机台测量所述晶圆表面形成的测试图形的套刻值；根据套刻值与焦距变化量之间的对应关系，确定所述待测光刻机台对应不同曝光位置的像散值；解决了目前光刻机台的像散检测复杂的问题；达到了简便地测量光刻机台的像散的效果。