[发明专利]一种QDR SRAM应用验证系统及其验证方法在审
| 申请号： | 202110432103.5 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113128156A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 董方磊;陈雷;陈茂鑫;李建成;王佳;许凯亮;李俊泽;陆时进;马浩 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 张辉 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种QDR SRAM应用验证系统，包括PC机、QDRSRAM应用验证板和程控电源，该系统实现了对被测QDR SRAM电路各种功能的全面验证。本发明同时公开了一种基于该系统的验证方法，该方法首先确定上电顺序，然后进行读写功能应用验证、JTAG功能应用验证和I/O电流特性应用验证。本发明验证功能全面、通用性强，对QDR SRAM的应用验证具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 qdr sram 应用 验证 系统 及其 方法 | ||
【主权项】：
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