[发明专利]一种富含Si3有效

专利信息
申请号: 202110434942.0 申请日: 2021-04-22
公开(公告)号: CN113149656B 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 范晓孟;张敏;叶昉;薛继梅;范尚武;成来飞 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C04B35/58 分类号: C04B35/58;C04B35/622
代理公司: 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种富含Si3N4纳米线的SiHfBCN陶瓷及制备方法,采用先驱体共混法将聚硼硅氮烷(PBSZ)和聚铪氧烷(PHO)按照一定体积比例混合,加入一定含量的镍系催化剂的饱和乙醇溶液,然后经固化、裂解和高温热处理得到富含Si3N4纳米线的SiHfBCN陶瓷。Si3N4纳米线的直径小于50nm,长度在10μm‑200μm之间。Si3N4晶体的析出使SiHfBCN陶瓷对电磁波的响应从吸收或反射变为偏透过。铪元素的存在使Si3N4纳米线在1600℃依旧稳定存在,同时由于非晶相富含铪元素,因而此方法制备的SiHfBCN陶瓷也具有优异的抗烧蚀性能。本发明能够适用于复合材料,可用作涂层或基体,充当电磁波阻抗匹配层,同时可有效提高其在超高温环境下的抗烧蚀能力。
搜索关键词: 一种 富含 si base sub
【主权项】:
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