[发明专利]一种芯片缺陷检测方法在审
| 申请号： | 202110435622.7 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113299572A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 贺晓辉;李迈克;石磊;陈耿 | 申请（专利权）人： | 重庆工程职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 重庆莫斯专利代理事务所(普通合伙) 50279 | 代理人： | 刘强 |
| 地址： | 402284 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片缺陷检测方法，涉及半导体技术领域，提供一表面制备有多个相同芯片的晶圆，且该多个相同芯片在晶圆上呈矩阵式排列；然后选定一待测芯片，并以待测芯片的几何中心为原点作虚拟的平面直角坐标系，选择平面直角坐标系四个象限角平分线上的芯片作为对比芯片，对比芯片至少选择两个；再通过获取待检测芯片和对比芯片的数据图像；最后将每个对比芯片的数据图像分别与待测芯片的数据图像进行一一对比后，若发现异常，则该待测芯片具有缺陷。本发明能够以避免在检测时因相邻芯片间过于相似而导致芯片缺陷难以检测的不足，大大提高了晶圆缺陷检测的成功率，从而能够较为准确地反应被检测晶圆的缺陷真实情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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