[发明专利]基于二硫化钨/锑化镓结型场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110436209.2 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113224143B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 程子超;剪宇轩;宋秀峰;顾宇;陈翔 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/267 | 分类号： | H01L29/267;H01L29/80;H01L21/335;B82Y40/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 刘海霞 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于WS |
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| 搜索关键词： | 基于 硫化 锑化镓结型 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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