[发明专利]一种基于CsPbI3材料的发光二极管在审
申请号: | 202110436574.3 | 申请日: | 2021-04-22 |
公开(公告)号: | CN113285042A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 张正国;刘海;柯义虎 | 申请(专利权)人: | 北方民族大学 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L51/54 |
代理公司: | 北京欣鼎专利代理事务所(普通合伙) 11834 | 代理人: | 卢萍 |
地址: | 750021 宁夏回族*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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摘要: | 本发明涉及一种基于CsPbI3材料的发光二极管,包括如下步骤:(1)将透明导电玻璃基片进行标准化清洗后烘干,准备透明导电玻璃作为阳极基底;(2)制备钙钛矿前驱体溶液;(3)将导电玻璃转移至真空腔,在钙钛矿薄膜的表面依次热蒸镀形成电子传输层(POT2T)、电子注入层(Liq)和金属阴极电极(Al),与现有技术相比,本发明CsPbI3材料的发光二极管的制备工艺简单,所制备的CsPbI3材料的发光二极管的光色稳定,采用2次旋涂法制备钙钛矿发光层,有效的提高器件的发光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 cspbi3 材料 发光二极管 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-52 ..器件的零部件
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