[发明专利]一种基于CsPbI3材料的发光二极管在审

专利信息
申请号: 202110436574.3 申请日: 2021-04-22
公开(公告)号: CN113285042A 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 张正国;刘海;柯义虎 申请(专利权)人: 北方民族大学
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L51/54
代理公司: 北京欣鼎专利代理事务所(普通合伙) 11834 代理人: 卢萍
地址: 750021 宁夏回族*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 发明涉及一种基于CsPbI3材料的发光二极管,包括如下步骤:(1)将透明导电玻璃基片进行标准化清洗后烘干,准备透明导电玻璃作为阳极基底;(2)制备钙钛矿前驱体溶液;(3)将导电玻璃转移至真空腔,在钙钛矿薄膜的表面依次热蒸镀形成电子传输层(POT2T)、电子注入层(Liq)和金属阴极电极(Al),与现有技术相比,本发明CsPbI3材料的发光二极管的制备工艺简单,所制备的CsPbI3材料的发光二极管的光色稳定,采用2次旋涂法制备钙钛矿发光层,有效的提高器件的发光效率。
搜索关键词: 一种 基于 cspbi3 材料 发光二极管
【主权项】:
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