[发明专利]一种纳米银焊膏低温大面积均匀烧结方法有效

专利信息
申请号: 202110439236.5 申请日: 2021-04-23
公开(公告)号: CN113206018B 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: 梅云辉;邓文斌 申请(专利权)人: 天津工业大学
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/58;H01L21/60
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300387 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明提供一种纳米银焊膏低温大面积均匀烧结方法,包括以下步骤:(1)将芯片和基板进行清洗;(2)在清洁过的基板和芯片连接表面上印刷纳米银焊膏并干燥;(3)在干燥后基板和芯片表面的纳米银焊膏上滴加有机溶剂,润湿表面焊膏并贴片;(4)将润湿贴片的基板和芯片置于烧结炉中,在低温180℃下加压烧结。采用上述技术方案,可实现在低温180‑200℃均匀烧结纳米银焊膏连接面积在200‑1000mm2的大面积芯片。烧结温度低,避免了高温可能对电路板和芯片外壳造成的破坏,同时烧结接头的残余应力更小,耐热‑机械循环能力提高。采用先印刷干燥再润湿贴片的工艺,烧结后的连接层均匀,无气道分层缺陷,提高了大面积烧结银层导热性能和可靠性。
搜索关键词: 一种 纳米 银焊膏 低温 大面积 均匀 烧结 方法
【主权项】:
暂无信息
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