[发明专利]新晶体结构酞菁铟纳米线及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110441302.2 申请日: 2021-04-23
公开(公告)号: CN113135926A 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 郭婷婷;李成晗;王海;宋玉敏;聂陟枫;段良飞;陈秋园;常佳伟 申请(专利权)人: 昆明学院
主分类号: C07D487/22 分类号: C07D487/22;C07F5/00;B82Y40/00
代理公司: 北京睿博行远知识产权代理有限公司 11297 代理人: 黄德跃
地址: 650214 云南省昆*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明属于纳米酞菁铟制备技术领域,具体公开一种新晶体结构酞菁铟纳米线及其制备方法,所述酞菁铟纳米线的X‑射线衍射谱在下列的2θ处具有一个或多个特征峰7.338、16.635、21.285、23.253、25.222、27.164、27.769、28.217;所述X‑射线衍射谱的测试条件为:CuKα10.02°/step/1s;其制备方法包括放入酞菁铟源料至水平管式炉中的加热区域,在载气氛围下,以阶梯升温的方式加热,升温速率为1‑8℃/min,加热酞菁铟源料至470‑800℃,通过该载气,引导该升华的酞菁铟离开该加热区域,至生长区域得到酞菁铟纳米线,本发明得到具有特定结构的InPC均匀性好,平均直径为100nm以下,纳米线束的长度通常为10mm以上,提升和改善了酞菁铟的物理和化学性质,能更好地应用于光电导材料、液晶彩色显示等领域中。
搜索关键词: 晶体结构 酞菁铟 纳米 及其 制备 方法
【主权项】:
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