[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110441655.2 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113192892B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 陈文丽 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 姚姝娅 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：提供基底，基底中形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构于基底内隔离出若干个间隔排布的有源区；于基底中形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露出部分有源区；于第一沟槽中形成第一导电结构，所述第一导电结构填满第一沟槽；于基底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖基底的上表面及第一导电结构的上表面；于第一介质层中形成第二沟槽，所述第二沟槽暴露出第一导电结构；第二沟槽的顶部宽度大于第一沟槽的顶部宽度；于第二沟槽中形成第二导电结构。降低了填充形成第一导电结构和第二导电结构时沟槽的深宽比，避免第一导电结构和第二导电结构中出现空洞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
