[发明专利]化合物半导体续流功率晶体管有效
| 申请号： | 202110443694.6 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113270478B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 孙绍瑜;陶倩倩;金玉丰 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 黄广龙 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种化合物半导体续流功率晶体管。包括：衬底、缓冲层、势垒层，缓冲层设置于衬底上，势垒层设置于缓冲层上，势垒层上设置有源极、漏极和栅极，栅极位于源极和漏极之间，势垒层中设有用于形成电子陷阱的陷阱区，陷阱区位于源极和漏极之间，栅极不接触陷阱区。通过在势垒层中设置陷阱区，当器件工作时，在栅极上施加的正负电压需要向陷阱区抽取或注入电子，以此实现器件平缓的导通和关断，降低了器件被感应电压击穿或烧毁的风险，提高了化合物半导体功率晶体管在系统中的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
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