[发明专利]一种基于3T-3MTJ存储单元的磁性随机存储器及其读取方法有效
| 申请号： | 202110449356.3 | 申请日： | 2021-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN113113062B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 王超;陆楠楠 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于3T‑3MTJ存储单元的磁性随机存储器及其读取方法，属于非易失性存储器领域，包括3T‑3MTJ存储单元、逻辑控制电路、多边选择电路MUX和灵敏放大器SA。当多边选择电路MUX选通S0端和S1端时，NMOS管N3关断，灵敏放大器SA将读出磁性隧道结M01和M02的存储信息；当多边选择电路MUX选通S0端和S2端时，NMOS管N3导通，灵敏放大器SA通过比较两边电流的大小读出磁性隧道结M03的存储信息。由此可见，一个3T‑3MTJ存储单元可以存储2Bit数据；与2T‑2MTJ存储单元相比能够大幅度提高存储单元的密度，与1T‑1MTJ存储单元相比具有更高的读出可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mtj 存储 单元 磁性 随机 存储器 及其 读取 方法 | ||
【主权项】：
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