[发明专利]一种双刻蚀制备锂硫电池正极材料S/CeO2有效

专利信息
申请号: 202110451416.5 申请日: 2021-04-26
公开(公告)号: CN113161552B 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 李丽波;陈晓川;单宇航;崔文俊 申请(专利权)人: 哈尔滨理工大学
主分类号: H01M4/62 分类号: H01M4/62;H01M4/38;H01M10/052;H01M10/058;H01M10/04
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摘要: 一种双刻蚀制备锂硫电池正极材料S/CeO2/断崖式形貌MXene的方法,它涉及一种双刻蚀制备锂硫电池正极材料S/CeO2/断崖式形貌MXene的方法。本发明要解决现有方法制备锂硫电池正极材料结构粉化崩塌有穿梭效应,寿命短。本发明的方法如下:一、酸刻蚀MXene;二、碱刻蚀MXene制备CeO2/断崖式形貌MXene基体材料;三、CeO2/断崖式形貌MXene基体材料热处理;四、制备锂硫电池正极材料S/CeO2/断崖式形貌MXene;五、电池组装。本发明的方法制备的双刻蚀锂硫电池正极材料S/CeO2/断崖式形貌MXene组装锂硫电池循环寿命长稳定性好可大规生产。本发明应用于锂硫电池领域。
搜索关键词: 一种 刻蚀 制备 电池 正极 材料 ceo base sub
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