[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法在审
| 申请号： | 202110451665.4 | 申请日： | 2021-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113192893A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 陈晓威;汤永才 | 申请（专利权）人： | 昆山龙腾光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 蔡光仟 |
| 地址： | 215301 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，该制作方法包括：提供衬底基板，衬底基板包括显示区和非显示区；在衬底基板上形成第一金属层，第一金属层包括第一走线下段、第二走线下段和第三走线；在第一金属层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层形成第二金属层，第二金属层包括第一走线上段；在第二金属层上形成金属氧化物半导体层；在氧化物半导体层上形成第二绝缘层；在第二绝缘层形成第三金属层，第三金属层包括桥接部和第二走线上段，其中非显示区的第一走线下段与桥接部电性连接，第一走线上段与桥接部电性连接。本发明不仅能够实现窄边框的设计，还能够减少一道绝缘层的制程，降低薄膜晶体管阵列基板的加工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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