[发明专利]一种空穴选择性钝化接触电池的制备方法在审
| 申请号： | 202110458226.6 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113193081A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 王芹芹;瞿辉;曹玉甲 | 申请（专利权）人： | 常州顺风太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/225;H01L21/22 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 朱晓凯 |
| 地址： | 213123 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种空穴选择性钝化接触电池的制备方法，包括如下步骤：（1）双面制绒；（2）无氧硼掺杂；（3）背面形貌；（4）沉积微晶硅；（5）制备细栅线图形；（6）形成轻掺杂p+层：利用酸刻蚀的方式去除非掩膜区域的微晶硅并刻蚀硼掺杂区域形成P+层；（7）形成高掺杂多晶硅p++层及n+层：通过热氧化后进行磷掺杂或者旋涂的方式经过高温退火分别形成了高掺杂多晶硅p++层及n+层；（8）清洗；（9）钝化；（10）丝网印刷。本发明制备流程简易方便，同时可有效的提升电池效率，且适合批量化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 空穴 选择性 钝化 接触 电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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