[发明专利]一种基于石墨烯-五氧化二铌的全固态离子选择性电极及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110458984.8 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113155932B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 牛利;邱世平;甘世宇;钟丽杰 | 申请（专利权）人： | 广州大学 |
| 主分类号： | G01N27/333 | 分类号： | G01N27/333;G01N27/416;B82Y30/00;C01B32/184;C01G33/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 胡辉 |
| 地址： | 510006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于石墨烯‑五氧化二铌的全固态离子选择性电极及其制备方法和应用，所述全固态离子选择性电极包括基体、设置在所述基体表面的转导层，以及覆盖在所述转导层表面的离子选择性膜，所述转导层包括石墨烯‑五氧化二铌纳米复合材料。本发明以石墨烯‑五氧化二铌纳米复合材料作为固态转导层材料，构建全固态离子选择性电极，能够消除水层的形成，对气体等干扰因素具有良好的抗干扰能力，显著地提升了界面电容，加强固态离子选择性电极的电位稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 氧化 固态 离子 选择性 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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