[发明专利]通孔的制造方法有效
| 申请号： | 202110459179.7 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113224002B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 黄兆铭;吴长明;冯大贵;王龙 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通孔的制造方法，包括：步骤一、形成由第一TiN层、Al主体层和第二TiN层叠加而成的第一金属层；步骤二、形成硬质掩膜层并进行图形化。步骤三、对第一金属层刻蚀形成金属线；步骤四、采用HDPCVD工艺沉积层间膜，工艺中的等离子体会使硬质掩膜层的宽度减少；步骤五、定义出通孔的形成区域；步骤六、进行刻蚀形成通孔的开口，包括：步骤61、对层间膜进行第一次刻蚀；步骤62、进行采用递进式的多步子过刻蚀组成的过刻蚀；各子过刻蚀的工艺压强依次增加，各子过刻蚀中采用聚合物气体且最后一步子过刻蚀的聚合物气体加重；步骤63、去除通孔的开口底部的硬质掩膜层。本发明能防止通孔开口底部的第二TiN层被去除从而能防止铝被暴露而氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
