[发明专利]一种碳化硅晶体的高温二次退火方法有效
| 申请号： | 202110459963.8 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113174638B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 黄四江;沙智勇;尹归;刘得伟;段金炽;普世坤;杨海平;王美春;殷云川 | 申请（专利权）人： | 云南鑫耀半导体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B33/02;C30B23/00 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 董昆生 |
| 地址： | 650000 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明属于碳化硅单晶生长领域，具体公开一种碳化硅晶体的高温二次退火方法，包括以下步骤：装晶体，使用分段式加热程序升温，一阶段升温至1300‑1500℃，二阶段升温至2000℃，然后进行保温，保证温度波动范围在2000±1℃之内，降温：采用阶梯式的降温程序，以每小时降温200W的功率降温10小时，再以每小时降温400W的功率降温10小时；用10小时把功率降到0，晶体在晶炉中经24小时充分冷却后取出，该碳化硅高温二次退火的工艺采用升温、保温、降温的三段式，可更好的释放应力和避免应力进一步发展，而且控温能精确的把温度控制在保温所需的温度要求；在降温阶段通过分阶段冷却保证高温降温慢，低温降温快，减少用时的同时避免应力释放后又重新生成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 高温 二次 退火 方法 | ||
【主权项】：
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