[发明专利]存储器地址线的制作方法在审
| 申请号： | 202110462112.9 | 申请日： | 2021-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN113299684A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;杨红心 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李路遥;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种存储器地址线的制作方法，包括：提供半导体结构；所述半导体结构至少包括第一地址线层；在所述第一地址线层上形成第一牺牲层；对所述第一牺牲层进行第一刻蚀，形成多条沿第一方向延伸且相距第一距离的第一牺牲条；形成第一定向组装层；所述第一定向组装层包括多条间隔设置的第二牺牲条和第一介质条；多条第二牺牲条中各第二牺牲条均沿第一方向延伸，且相距第二距离；所述第二距离小于所述第一距离；所述多条第二牺牲条中部分第二牺牲条与所述多条第一牺牲条在与所述第一方向垂直的第一平面的投影重叠；去除所述第一介质条；利用所述第二牺牲条作为第一掩膜层对所述第一地址线层进行第二刻蚀，得到第一地址线。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 地址 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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