[发明专利]一种基于GaAsOI衬底的InAs量子点激光器结构及制备方法在审
| 申请号： | 202110463249.6 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113178771A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈星佑;陈思铭;唐明初 | 申请（专利权）人： | 湖南汇思光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/343 |
| 代理公司： | 长沙市护航专利代理事务所(特殊普通合伙) 43220 | 代理人： | 莫晓齐 |
| 地址： | 410005 湖南省长沙市岳麓*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于GaAsOI衬底的InAs量子点激光器结构及制备方法。所述的一种基于GaAsOI衬底的InAs量子点激光器结构包括依次层叠设置的GaAsOI衬底、GaAs缓冲层和下接触层、AlGaAs下阻挡层、InAs量子点有源区、AlGaAs上阻挡层及GaAs上接触层，所述GaAsOI衬底为从GaAs衬底上剥离并转移至CMOS兼容的SOI衬底上，并经处理后得到的GaAs单晶薄膜。本发明可以实现在与CMOS工艺兼容的SOI衬底上制备InAs量子点激光器，适合于硅基光电集成缺少核心光源的研制，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gaasoi 衬底 inas 量子 激光器 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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