[发明专利]一种异质结激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110465099.2 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113206447B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 洪嘉祥;雷双瑛;江源长;陈洁;黄庆安 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 冯慧 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本文发明公开了一种异质结半导体激光器及其制备方法，利用双层AD型GeS堆垛和双层旋转AB型GeS堆垛通过横向连接可构成Ⅰ型半导体异质结，用于在激光二极管中实现粒子数反转，能够有效的减小工作电流。所述半导体激光二极管由下至上依次包括：下电极(1)、衬底(2)、下包覆层(3)、有源层(4)、上包覆层(5)、接触层(6)和上电极(7)。本发明选用的材料异质结更容易达到晶格匹配，制备工艺也更简单，仅仅通过范德瓦耳斯力就能将双层旋转AD型GeS堆垛和双层旋转AB型GeS堆垛进行横向连接形成异质结。本文通过机械剥离的方法来得到不同堆垛结构的少层类黑磷烯结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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