[发明专利]栅氧化层工艺中的厚度补偿方法有效
| 申请号： | 202110466998.4 | 申请日： | 2021-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN113223979B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 刘俊;李灵均 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种栅氧化层工艺中的厚度补偿方法，根据每lot批次晶圆上栅氧化层生长前已具有的氧化层厚度与最终形成的掺杂栅氧化层电学厚度的相关性，按比例进行栅氧化层厚度的自动补偿。补偿系数是根据每lot批次栅氧化层生长前已具有的氧化层厚度与最终形成的掺杂栅氧化层电学厚度的相关性按比例获得栅氧化层生长厚度补偿系数K值，进行栅氧化层厚度的自动补偿。通过对栅氧化层生产过程中，在晶圆上本身已经具有不同厚度氧化层的基础上，根据现有的不同厚度的氧化层进行栅氧化层生长厚度自动补偿，使得同一lot批次的晶圆的栅氧化层一致性更高，提高器件的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 工艺 中的 厚度 补偿 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
