[发明专利]一种Mg-Bi基层状体块晶体材料及其生长方法有效

专利信息
申请号: 202110469653.4 申请日: 2021-04-28
公开(公告)号: CN113235167B 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 夏盛清;王琦琦;刘小村 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: C30B29/52 分类号: C30B29/52;C30B11/00;C30B11/02;C30B28/06;H02N11/00
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 王素平
地址: 250199 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供了一种Mg‑Bi基层状体块晶体材料及其生长方法。所述的晶体材料的晶体结构为Mg3Bi2构型,呈现页岩状形貌;其生长方法包括步骤:在真空或惰性气氛保护下,将空置的生长晶体的非金属坩埚加热至预定温度;将熔化的Mg‑Bi基晶体生长原料液注入加热至预定温度的非金属坩埚中,通过坩埚下降法或籽晶定向生长方法进行晶体的生长,得到Mg‑Bi基层状体块晶体材料。本发明的生长方法工艺简单、成本低廉、可放大制备晶体,采用本发明生长方法得到的Mg‑Bi基体块晶体材料具有大尺寸,高质量以及规则的层状结构,在室温附近表现出优异的热电性能,可直接应用于热电器件制备。
搜索关键词: 一种 mg bi 基层 状体块 晶体 材料 及其 生长 方法
【主权项】:
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