[发明专利]一种钐钴稀土磁体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110472240.1 申请日: 2021-04-29
公开(公告)号: CN113388757B 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 吴茂林;师大伟;王国雄;傅忠伟 申请(专利权)人: 福建省长汀卓尔科技股份有限公司;厦门钨业股份有限公司
主分类号: C22C19/07 分类号: C22C19/07;C22C1/02;B22F3/16;H01F1/055;H01F41/02
代理公司: 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 代理人: 李强;杨泽奇
地址: 366300 福建省龙*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及永磁材料技术领域,特别涉及一种钐钴稀土磁体及其制备方法,其中,所述钐钴稀土磁体制备方法中的熔炼过程包括第一熔炼阶段、第二熔炼阶段和第三熔炼阶段,所述第一熔炼阶段的真空度为10kPa~15kPa,熔炼温度从常温升温至T1,所述T1为1050℃~1100℃;所述第二熔炼阶段的真空度为40kPa~50kPa,熔炼温度从T2升温至T3,所述T2为1050℃~1100℃,所述T3为1250℃~1350℃;所述第三熔炼阶段的真空度为70kPa~90kPa,熔炼温度从T4升温至T5,所述T4为1250℃~1350℃,所述T5为1500℃~1600℃。本发明通过采用分段加压的熔炼方式以减小熔炼过程中钐的挥发量,从而得到高性能的钐钴磁体。
搜索关键词: 一种 稀土 磁体 及其 制备 方法
【主权项】:
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