[发明专利]一种应用于CMOS工艺的分形结构片上天线有效
| 申请号： | 202110475059.6 | 申请日： | 2021-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113193333B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 唐红艳;官鑫;徐文成张;吴韵秋;康凯 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q5/10;H01Q9/04;H01Q15/14;H01Q23/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于无线通信技术领域，提供应用于CMOS工艺的分形结构片上天线，用以解决现有毫米波频段片上天线存在的低增益、低效率的问题。本发明的片上天线具有分形结构，拥有宽带宽特性，适用于多个频段的信号传输；同时，加载于分形天线下的人工磁导体结构能够实现电磁波全反射，有助于减小电磁波在低阻高介电常数的硅衬底中的损耗，使得天线增益上升；加载于钝化层上的介质谐振器能够将电磁波向上方聚拢，不但减小了衬底的损耗，还提升了天线辐射的方向性，使得天线增益提升。综上，本发明提供一种基于CMOS工艺的应用于毫米波频段的同时加载人工磁导体和介质谐振器的分形结构片上天线，能够显著提高天线的增益以及工作带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 cmos 工艺 结构 天线 | ||
【主权项】：
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